TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4 - Toshiba Memory America, Inc.

Número de pieza
TC58BYG1S3HBAI4
Fabricante
Toshiba Memory America, Inc.
Breve descripción
2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP EE
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Memoria
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
34410 pcs
Precio de referencia
USD 5.32/pcs
Nuestro precio
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TC58BYG1S3HBAI4 Descripción detallada

Número de pieza TC58BYG1S3HBAI4
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND (SLC)
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria -
Suministro de voltaje 1.7V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 63-VFBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 63-TFBGA (9x11)
Peso -
País de origen -

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