TSM3N100CP ROG - Taiwan Semiconductor Corporation

品番	TSM3N100CP ROG
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	6 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	5.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	19nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	664pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	99W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
TSM3N100CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252	詳細
TSM3N80CH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251	詳細
TSM3N80CI C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A ITO220	詳細
TSM3N80CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252	詳細
TSM3N80CZ C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220	詳細
TSM3N90CH C5G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251	詳細
TSM3N90CI C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220	詳細
TSM3N90CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252	詳細
TSM3N90CZ C0G	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220	詳細