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| Artikelnummer | TSM3N100CP ROG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 664pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 99W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
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TSM3N100CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252 | Einzelheiten |
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TSM3N80CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251 | Einzelheiten |
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TSM3N80CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A ITO220 | Einzelheiten |
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TSM3N80CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252 | Einzelheiten |
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TSM3N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 | Einzelheiten |
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TSM3N90CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251 | Einzelheiten |
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TSM3N90CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220 | Einzelheiten |
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TSM3N90CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252 | Einzelheiten |
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TSM3N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220 | Einzelheiten |
