| Artikelnummer | TSM3N90CH C5G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 900V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.1 Ohm @ 1.25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 748pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 94W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-251 (IPAK) |
| Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
.jpg "TSM3N100CP ROG") |
TSM3N100CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252 | Einzelheiten |
|
TSM3N80CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO251 | Einzelheiten |
 |
TSM3N80CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A ITO220 | Einzelheiten |
|
TSM3N80CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO252 | Einzelheiten |
 |
TSM3N80CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 | Einzelheiten |
|
TSM3N90CH C5G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO251 | Einzelheiten |
|
TSM3N90CI C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220 | Einzelheiten |
|
TSM3N90CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO252 | Einzelheiten |
|
TSM3N90CZ C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220 | Einzelheiten |
