TSM3N90CZ C0G - Taiwan Semiconductor Corporation

品番	TSM3N90CZ C0G
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	900V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	5.1 Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	17nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	748pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	94W (Tc)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
TSM3N100CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252	詳細
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