| 品番 | BSM180C12P2E202 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 1200V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 204A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 35.2mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| Vgs（最大） | +22V, -6V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 20000pF @ 10V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 1360W (Tc) |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Module |
| パッケージ/ケース | Module |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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