BSM180C12P2E202 detaillierte Beschreibung
| Artikelnummer |
BSM180C12P2E202 |
| Teilstatus |
Active |
| FET Typ |
N-Channel |
| Technologie |
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
204A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
- |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
- |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 35.2mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
- |
| Vgs (Max) |
+22V, -6V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
20000pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft |
- |
| Verlustleistung (Max) |
1360W (Tc) |
| Betriebstemperatur |
175°C (TJ) |
| Befestigungsart |
Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket |
Module |
| Paket / Fall |
Module |
| Gewicht |
- |
| Ursprungsland |
- |
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