| 品番 | R1WV6416RSA-7SR#B0 |
|---|---|
| 部品ステータス | Last Time Buy |
| メモリの種類 | Volatile |
| メモリフォーマット | SRAM |
| 技術 | SRAM |
| メモリー容量 | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| クロック周波数 | - |
| 書き込みサイクル時間 - ワード、ページ | 70ns |
| アクセス時間 | 70ns |
| メモリインターフェイス | Parallel |
| 電圧 - 供給 | 2.7 V ~ 3.6 V |
| 動作温度 | 0°C ~ 70°C (TA) |
| 取付タイプ | - |
| パッケージ/ケース | - |
| サプライヤデバイスパッケージ | - |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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R1WV6416RBG-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA | 詳細 |
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R1WV6416RBG-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA | 詳細 |
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R1WV6416RSA-5SI#B0 | Renesas Electronics America | IC SRAM 32MBIT 48TSOP | 詳細 |
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R1WV6416RSA-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED TSOP P | 詳細 |
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R1WV6416RSA-7SR#B0 | Renesas Electronics America | IC SRAM 32MBIT 48TSOP | 詳細 |
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R1WV6416RSD-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP | 詳細 |
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R1WV6416RSD-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP | 詳細 |
