R1WV6416RSA-7SR#B0 - Renesas Electronics America

Artikelnummer	R1WV6416RSA-7SR#B0
Teilstatus	Last Time Buy
Speichertyp	Volatile
Speicherformat	SRAM
Technologie	SRAM
Speichergröße	64Mb (8M x 8, 4M x 16)
Taktfrequenz	-
Schreibe Zykluszeit - Wort, Seite	70ns
Zugriffszeit	70ns
Speicherschnittstelle	Parallel
Spannungsversorgung	2.7 V ~ 3.6 V
Betriebstemperatur	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart	-
Paket / Fall	-
Lieferantengerätepaket	-
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
R1WV6416RBG-5SI#B0	Renesas Electronics America	64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA	Einzelheiten
R1WV6416RBG-5SI#S0	Renesas Electronics America	64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA	Einzelheiten
R1WV6416RSA-5SI#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32MBIT 48TSOP	Einzelheiten
R1WV6416RSA-5SI#S0	Renesas Electronics America	64M ADV LPSRAM STACKED TSOP P	Einzelheiten
R1WV6416RSA-7SR#B0	Renesas Electronics America	IC SRAM 32MBIT 48TSOP	Einzelheiten
R1WV6416RSD-5SI#B0	Renesas Electronics America	64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP	Einzelheiten
R1WV6416RSD-5SI#S0	Renesas Electronics America	64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP	Einzelheiten