| Numero di parte | R1WV6416RSA-7SR#B0 |
|---|---|
| Stato parte | Last Time Buy |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | SRAM |
| Tecnologia | SRAM |
| Dimensione della memoria | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
| Tempo di accesso | 70ns |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.7 V ~ 3.6 V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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R1WV6416RBG-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA | Dettagli |
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R1WV6416RBG-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M MCP2X32M ADV.SRAM 3V FBGA | Dettagli |
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R1WV6416RSA-5SI#B0 | Renesas Electronics America | IC SRAM 32MBIT 48TSOP | Dettagli |
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R1WV6416RSA-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED TSOP P | Dettagli |
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R1WV6416RSA-7SR#B0 | Renesas Electronics America | IC SRAM 32MBIT 48TSOP | Dettagli |
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R1WV6416RSD-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP | Dettagli |
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R1WV6416RSD-5SI#S0 | Renesas Electronics America | 64M ADV LPSRAM STACKED UTSOP | Dettagli |
