NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G - ON Semiconductor

品番
NGTB10N60R2DT4G
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
IGBT 10A 600V DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - IGBT - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
37500 pcs
参考価格
USD 0.6123/pcs
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NGTB10N60R2DT4G 詳細な説明

品番 NGTB10N60R2DT4G
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 20A
電流 - コレクタパルス(Icm) 40A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.1V @ 15V, 10A
電力 - 最大 72W
スイッチングエネルギー 412µJ (on), 140µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 53nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 48ns/120ns
テスト条件 300V, 10A, 30 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) 90ns
動作温度 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
重量 -
原産国 -

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