NGTB10N60R2DT4G - ON Semiconductor

Número de pieza: NGTB10N60R2DT4G
Fabricante: ON Semiconductor
Breve descripción: IGBT 10A 600V DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Simple
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Precio de referencia: USD 0.6123/pcs
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Número de pieza	NGTB10N60R2DT4G
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	-
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	600V
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
Corriente - colector pulsado (Icm)	40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 10A
Potencia - Max	72W
Conmutación de energía	412µJ (on), 140µJ (off)
Tipo de entrada	Standard
Cargo de puerta	53nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C	48ns/120ns
Condición de prueba	300V, 10A, 30 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)	90ns
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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