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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › NGTB10N60R2DT4G
NGTB10N60R2DT4G

NGTB10N60R2DT4G - ON Semiconductor

Numero di parte
NGTB10N60R2DT4G
fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
IGBT 10A 600V DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NGTB10N60R2DT4G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
37500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.6123/pcs
Il nostro prezzo
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NGTB10N60R2DT4G Descrizione dettagliata

Numero di parte NGTB10N60R2DT4G
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 20A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Potenza - Max 72W
Cambiare energia 412µJ (on), 140µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 53nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 48ns/120ns
Condizione di test 300V, 10A, 30 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 90ns
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacchetto dispositivo fornitore DPAK
Peso -
Paese d'origine -

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