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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › MTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4

MTD10N10ELT4 - ON Semiconductor

品番
MTD10N10ELT4
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
MTD10N10ELT4 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4381 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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MTD10N10ELT4 詳細な説明

品番 MTD10N10ELT4
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 15nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1040pF @ 25V
Vgs（最大） ±15V
FET機能 -
消費電力（最大） 1.75W (Ta), 40W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 220 mOhm @ 5A, 5V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ DPAK
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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