MTD10N10ELT4 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
MTD10N10ELT4 |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
10A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
5V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
15nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1040pF @ 25V |
Vgs (Max) |
±15V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
1.75W (Ta), 40W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
220 mOhm @ 5A, 5V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Lieferantengerätepaket |
DPAK |
Paket / Fall |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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