MTD10N10ELT4 - ON Semiconductor

Numéro d'article	MTD10N10ELT4
État de la pièce	Obsolete
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	10A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1040pF @ 25V
Vgs (Max)	±15V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	1.75W (Ta), 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 5A, 5V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	DPAK
Paquet / cas	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
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