IRF634B-FP001 - ON Semiconductor

品番	IRF634B-FP001
部品ステータス	Not For New Designs
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	250V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	8.1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	450 mOhm @ 4.05A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	38nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1000pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	74W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220AB
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

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