| Artikelnummer | IRF634B-FP001 |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 8.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.05A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 74W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220AB |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF630 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | Einzelheiten |
 |
IRF6305TRL | IR | IRF6305TRL IR TO220-.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF630A | STIRFSC | IRF630A ST/IR/FSC TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF630B | FAIRCHILD | IRF630B FAIRCHILD TO-220.. New Original Stocks | Einzelheiten |
|
IRF630BTSTU_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | Einzelheiten |
|
IRF630B_FP001 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220 | Einzelheiten |
|
IRF630F | ST | IRF630F ST TO220 New Original Stocks | Einzelheiten |
 |
IRF630FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 200V 9A TO-220FP | Einzelheiten |
 |
IRF630L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 9A TO-262 | Einzelheiten |
|
IRF630M | ST | IRF630M ST TO-220 New Original Stocks | Einzelheiten |
