IRF630BTSTU_FP001

IRF630BTSTU_FP001 - Fairchild/ON Semiconductor

品番
IRF630BTSTU_FP001
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IRF630BTSTU_FP001 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IRF630BTSTU_FP001.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4012 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください IRF630BTSTU_FP001

IRF630BTSTU_FP001 詳細な説明

品番 IRF630BTSTU_FP001
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 29nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 720pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 72W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3 Cropped Leads
重量 -
原産国 -

関連製品 IRF630BTSTU_FP001