IRF530N_R4942 - ON Semiconductor

品番	IRF530N_R4942
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On（Max）@ Id、Vgs	64 mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	52nC @ 20V
Vgs（最大）	-
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	790pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	-
動作温度	-
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220-3
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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