IRF530N_R4942 - ON Semiconductor

Numero di parte	IRF530N_R4942
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	64 mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 20V
Vgs (massimo)	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220-3
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IRF530	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 100V 14A TO-220	Dettagli
IRF5305	IR	IRF5305 IR TO-220 New Original Stocks	Dettagli
IRF5305L	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 31A TO-262	Dettagli
IRF5305LPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 31A TO-262	Dettagli
IRF5305PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 31A TO-220AB	Dettagli
IRF5305S	IR	IRF5305S IR TO-263 New Original Stocks	Dettagli
IRF5305SPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK	Dettagli
IRF5305ST	IR	IRF5305ST IR TO-263 New Original Stocks	Dettagli
IRF5305STRL	IOR	IRF5305STRL IOR D2PARK New Original Stocks	Dettagli
IRF5305STRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK	Dettagli