FQU2N50BTU-WS - ON Semiconductor

品番	FQU2N50BTU-WS
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	5.3 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.7V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	8nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	230pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.5W (Ta), 30W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	I-PAK
パッケージ/ケース	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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