FQU2N50BTU-WS - ON Semiconductor

부품 번호	FQU2N50BTU-WS
부품 상태	Active
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	5.3 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	3.7V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	8nC @ 10V
Vgs (최대)	±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	230pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	2.5W (Ta), 30W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	I-PAK
패키지 / 케이스	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
FQU2N100	FAIRCHILD	FQU2N100 FAIRCHILD TO-251 New Original Stocks	세부
FQU2N100TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 1000V 1.6A IPAK	세부
FQU2N50BTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK	세부
FQU2N50BTU-WS	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK	세부
FQU2N50BTU_WS	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK	세부
FQU2N60-NL	FSC	FQU2N60-NL FSC TO-251 New Original Stocks	세부
FQU2N60B	FSC	FQU2N60B FSC TO-251 New Original Stocks	세부
FQU2N60C	ORIGINAL	FQU2N60C ORIGINAL SOT-25.. New Original Stocks	세부
FQU2N60CTU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK	세부
FQU2N60TU	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V 2A IPAK	세부