FQU2N50BTU_WS

FQU2N50BTU_WS - Fairchild/ON Semiconductor

品番
FQU2N50BTU_WS
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 1.6A IPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
FQU2N50BTU_WS PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
12422 pcs
参考価格
USD 0.99/pcs
私達の価格
メールで送信:[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください FQU2N50BTU_WS

FQU2N50BTU_WS 詳細な説明

品番 FQU2N50BTU_WS
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.6A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.7V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 8nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 230pF @ 25V
Vgs(最大) ±30V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.5W (Ta), 30W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5.3 Ohm @ 800mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
パッケージ/ケース TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
重量 -
原産国 -

関連製品 FQU2N50BTU_WS