FCP190N60-GF102 - ON Semiconductor

品番	FCP190N60-GF102
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	74nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2950pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	208W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220-3
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
FCP190N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO220-3	詳細
FCP190N60-GF102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220-3	詳細
FCP190N60E	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO220-3	詳細
FCP190N60_GF102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220-3	詳細
FCP190N65F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3	詳細
FCP190N65S3	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3	詳細
FCP190N65S3R0	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I	詳細
FCP1913H104G	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913	詳細
FCP1913H104G-E2	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913	詳細
FCP1913H104G-E3	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913	詳細