FCP190N60-GF102

FCP190N60-GF102 - ON Semiconductor

品番
FCP190N60-GF102
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
MOSFET N-CH 600V TO-220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
97735 pcs
参考価格
USD 1.68464/pcs
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FCP190N60-GF102 詳細な説明

品番 FCP190N60-GF102
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 20.2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 199 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 74nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2950pF @ 25V
FET機能 -
消費電力(最大) 208W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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