日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

FCP190N60_GF102

FCP190N60_GF102 - Fairchild/ON Semiconductor

品番: FCP190N60_GF102
メーカー: Fairchild/ON Semiconductor
簡単な説明: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: FCP190N60_GF102 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2632 pcs
参考価格: USD 3.5/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

FCP190N60_GF102 詳細な説明

品番	FCP190N60_GF102
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	600V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	20.2A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	3.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	74nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	2950pF @ 25V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	208W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	199 mOhm @ 10A, 10V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

関連製品 FCP190N60_GF102

画像	品番	メーカー	説明	見る
	FCP190N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO220-3	詳細
	FCP190N60-GF102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220-3	詳細
	FCP190N60E	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO220-3	詳細
	FCP190N60_GF102	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220-3	詳細
	FCP190N65F	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220-3	詳細
	FCP190N65S3	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 17A TO220-3	詳細
	FCP190N65S3R0	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I	詳細
	FCP1913H104G	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913	詳細
	FCP1913H104G-E2	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913	詳細
	FCP1913H104G-E3	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913	詳細