FCP190N65S3R0 - ON Semiconductor

品番	FCP190N65S3R0
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	17A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	190 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.5V @ 1.7mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	33nC @ 10V
Vgs（最大）	±30V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1350pF @ 400V
FET機能	-
消費電力（最大）	144W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-220-3
パッケージ/ケース	TO-220-3
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
FCP190N60	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO220-3	詳細
FCP190N60-GF102	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO-220-3	詳細
FCP190N60E	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 600V TO220-3	詳細
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FCP190N65S3R0	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I	詳細
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FCP1913H104G-E2	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2% 50VDC 1913	詳細
FCP1913H104G-E3	Cornell Dubilier Electronics (CDE)	CAP FILM 0.1UF 2 50VDC 1913	詳細