| 品番 | PHU108NQ03LT,127 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 25V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2V @ 1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 16.3nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1375pF @ 12V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 187W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 6 mOhm @ 25A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-Pak |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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PHU108NQ03LT,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 75A SOT533 | 詳細 |
