PHU108NQ03LT,127

PHU108NQ03LT,127 - NXP USA Inc.

Numéro d'article
PHU108NQ03LT,127
Fabricant
NXP USA Inc.
Brève description
MOSFET N-CH 25V 75A SOT533
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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1 Day
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PHU108NQ03LT,127 Description détaillée

Numéro d'article PHU108NQ03LT,127
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 25V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 75A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16.3nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1375pF @ 12V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 25A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur I-Pak
Paquet / cas TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids -
Pays d'origine -

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