PHU108NQ03LT,127 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
PHU108NQ03LT,127 |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
N-Channel |
Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) |
5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
16.3nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
1375pF @ 12V |
Vgs (Max) |
±20V |
FET-Eigenschaft |
- |
Verlustleistung (Max) |
187W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
6 mOhm @ 25A, 10V |
Betriebstemperatur |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart |
Through Hole |
Lieferantengerätepaket |
I-Pak |
Paket / Fall |
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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