品番 | NV6117 |
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部品ステータス | Active |
出力構成 | Half Bridge |
アプリケーション | Mobile Communications |
インタフェース | PWM |
荷重タイプ | Inductive |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
Rds On(Typ) | 120 mOhm |
電流出力/チャネル | 12A |
電流 - ピーク出力 | - |
電圧 - 供給 | 10V ~ 24V |
電圧 - 負荷 | 5.5V ~ 7V |
動作温度 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
特徴 | - |
フォールトプロテクション | - |
取付タイプ | Surface Mount |
パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-QFN (5x6) |
重量 | - |
原産国 | - |