NV6117 detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
NV6117 |
Teilstatus |
Active |
Ausgangskonfiguration |
Half Bridge |
Anwendungen |
Mobile Communications |
Schnittstelle |
PWM |
Ladeart |
Inductive |
Technologie |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Rds an (Typ) |
120 mOhm |
Strom - Ausgang / Kanal |
12A |
Aktuell - Spitzenleistung |
- |
Spannungsversorgung |
10V ~ 24V |
Spannung - Laden |
5.5V ~ 7V |
Betriebstemperatur |
-40°C ~ 125°C (TJ) |
Eigenschaften |
- |
Fehlerschutz |
- |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-PowerVDFN |
Lieferantengerätepaket |
8-QFN (5x6) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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