NV6117 - Navitas Semiconductor, Inc.

Numéro d'article	NV6117
État de la pièce	Active
Configuration de sortie	Half Bridge
Applications	Mobile Communications
Interface	PWM
Type de charge	Inductive
La technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Rds sur (Typ)	120 mOhm
Courant - Sortie / Canal	12A
Courant - Sortie de crête	-
Tension - Alimentation	10V ~ 24V
Tension - Charge	5.5V ~ 7V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TJ)
Caractéristiques	-
Protection contre les fautes	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	8-PowerVDFN
Package de périphérique fournisseur	8-QFN (5x6)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
NV021AMLF	ICS	NV021AMLF ICS SOP8 New Original Stocks	Détails
NV021AMLFT	IDT	NV021AMLFT IDT SOP8 New Original Stocks	Détails
NV06P00472J--	AVX Corporation	NTC THERMISTOR 4.7K OHM 5% DISC	Détails
NV06P00472K--	AVX Corporation	NTC THERMISTOR 4.7K OHM 10% DISC	Détails
NV25010DWHFT3G	ON Semiconductor	1KB SPI SER CMOS EEPROM	Détails
NV25020DWHFT3G	ON Semiconductor	2KB SPI SER CMOS EEPROM	Détails
NV25040DWHFT3G	ON Semiconductor	4KB SPI SER CMOS EEPROM	Détails
NV25080DWHFT3G	ON Semiconductor	8KB SPI SER CMOS EEPROM	Détails
NV25160DWHFT3G	ON Semiconductor	16KB SPI SER CMOS EEPROM	Détails
NV25320DWHFT3G	ON Semiconductor	32KB SPI SER CMOS EEPROM	Détails