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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル › 2N2907AE4
2N2907AE4

2N2907AE4 - Microsemi Corporation

品番
2N2907AE4
メーカー
Microsemi Corporation
簡単な説明
DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
33257 pcs
参考価格
USD 4.95073/pcs
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2N2907AE4 詳細な説明

品番 2N2907AE4
部品ステータス Active
トランジスタタイプ PNP
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 600mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 60V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 10µA (ICBO)
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 100 @ 150mA, 10V
電力 - 最大 500mW
周波数 - 遷移 -
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
サプライヤデバイスパッケージ TO-18
重量 -
原産国 -

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