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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli › 2N2907AE4
2N2907AE4

2N2907AE4 - Microsemi Corporation

Numero di parte
2N2907AE4
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
2N2907AE4 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
33257 pcs
Prezzo di riferimento
USD 4.95073/pcs
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2N2907AE4 Descrizione dettagliata

Numero di parte 2N2907AE4
Stato parte Active
Transistor Type PNP
Corrente - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Corrente - Limite del collettore (max) 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Potenza - Max 500mW
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Pacchetto dispositivo fornitore TO-18
Peso -
Paese d'origine -

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