| Numero di parte | 2N2907AE4 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | PNP |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Potenza - Max | 500mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-18 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2N2000 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N2001 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | Dettagli |
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2N2017 | CENTRAL | SMALL SIGNAL TRANSISTORS | Dettagli |
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2N2049 | CENTRAL | SMALL SIGNAL TRANSISTORS | Dettagli |
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2N2060 | Central Semiconductor Corp | TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6 | Dettagli |
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2N2060(CAN) | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Dettagli |
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2N2060A | Central Semiconductor Corp | TRANS 2NPN 500MA 60V TO78-6 | Dettagli |
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2N2060J | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Dettagli |
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2N2060JV | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Dettagli |
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2N2060JX | SEMICOA | Silicon NPN Transistor | Dettagli |
