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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - Simple › 2N2907AE4
2N2907AE4

2N2907AE4 - Microsemi Corporation

Número de pieza
2N2907AE4
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP T
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
2N2907AE4 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
33257 pcs
Precio de referencia
USD 4.95073/pcs
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2N2907AE4 Descripción detallada

Número de pieza 2N2907AE4
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor PNP
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 60V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Corriente - corte de colector (máximo) 10µA (ICBO)
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Potencia - Max 500mW
Frecuencia - Transición -
Temperatura de funcionamiento -65°C ~ 200°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / caja TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Paquete de dispositivo del proveedor TO-18
Peso -
País de origen -

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