| 品番 | IXTY26P10T |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | P-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 52nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 3820pF @ 25V |
| Vgs（最大） | ±15V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 150W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 90 mOhm @ 13A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 |
| パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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IXTY01N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK | 詳細 |
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IXTY01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA | 詳細 |
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IXTY01N80 | IXYS | MOSFET N-CH 800V 0.1A TO-252AA | 詳細 |
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IXTY02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A DPAK | 詳細 |
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IXTY02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK | 詳細 |
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IXTY02N50D TRL | IXYS | MOSFET N-CH | 詳細 |
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IXTY06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 90A TO-252 | 詳細 |
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IXTY08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK | 詳細 |
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IXTY08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252 | 詳細 |
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IXTY08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | 詳細 |
