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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTY02N50D
IXTY02N50D

IXTY02N50D - IXYS

品番
IXTY02N50D
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTY02N50D PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
IXTY02N50D.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
75 pcs
参考価格
USD 4.93/pcs
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IXTY02N50D 詳細な説明

品番 IXTY02N50D
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 500V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 200mA (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） -
Vgs（th）（Max）@ Id -
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs -
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 120pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 Depletion Mode
消費電力（最大） 1.1W (Ta), 25W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 30 Ohm @ 50mA, 0V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-252, (D-Pak)
パッケージ/ケース TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
重量 -
原産国 -

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