品番 | IXTY02N120P |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 200mA (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 4V @ 100µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 4.7nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 104pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 33W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 75 Ohm @ 500mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252, (D-Pak) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
重量 | - |
原産国 | - |