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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTM40N30
IXTM40N30

IXTM40N30 - IXYS

品番
IXTM40N30
メーカー
IXYS
簡単な説明
POWER MOSFET TO-3
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTM40N30 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
16705 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IXTM40N30 詳細な説明

品番 IXTM40N30
部品ステータス Last Time Buy
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 300V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 88 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 220nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 4600pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-204AE
パッケージ/ケース TO-204AE
重量 -
原産国 -

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