IXTM40N30

IXTM40N30 - IXYS

Artikelnummer
IXTM40N30
Hersteller
IXYS
Kurze Beschreibung
POWER MOSFET TO-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
16705 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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IXTM40N30 detaillierte Beschreibung

Artikelnummer IXTM40N30
Teilstatus Last Time Buy
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 300V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 88 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4600pF @ 25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-204AE
Paket / Fall TO-204AE
Gewicht -
Ursprungsland -

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