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IXTH200N10T - IXYS

品番: IXTH200N10T
メーカー: IXYS
簡単な説明: MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: IXTH200N10T PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 2650 pcs
参考価格: USD 6.38/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

IXTH200N10T 詳細な説明

品番	IXTH200N10T
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	200A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	152nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	9400pF @ 25V
Vgs（最大）	±30V
FET機能	-
消費電力（最大）	550W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	5.5 mOhm @ 50A, 10V
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-247 (IXTH)
パッケージ/ケース	TO-247-3
重量	-
原産国	-

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