IXTH200N10T

IXTH200N10T - IXYS

Numéro d'article
IXTH200N10T
Fabricant
IXYS
Brève description
MOSFET N-CH 100V 200A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
2650 pcs
Prix ​​de référence
USD 6.38/pcs
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IXTH200N10T Description détaillée

Numéro d'article IXTH200N10T
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 200A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 152nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 9400pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5 mOhm @ 50A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247 (IXTH)
Paquet / cas TO-247-3
Poids -
Pays d'origine -

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