IXTH1N200P3HV

IXTH1N200P3HV - IXYS

品番
IXTH1N200P3HV
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
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カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
30 pcs
参考価格
USD 23.72/pcs
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IXTH1N200P3HV 詳細な説明

品番 IXTH1N200P3HV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 2000V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 23.5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 646pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 125W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 40 Ohm @ 500mA, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247HV
パッケージ/ケース TO-247-3 Variant
重量 -
原産国 -

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