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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFT6N100Q
IXFT6N100Q

IXFT6N100Q - IXYS

品番
IXFT6N100Q
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXFT6N100Q PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
2618 pcs
参考価格
USD 9.922/pcs
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IXFT6N100Q 詳細な説明

品番 IXFT6N100Q
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1000V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 2.5mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 48nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2200pF @ 25V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 180W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 1.9 Ohm @ 3A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ TO-268
パッケージ/ケース TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
重量 -
原産国 -

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