IXFT6N100Q - IXYS

номер части	IXFT6N100Q
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	1000V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	6A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.5mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	48nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	2200pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	180W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-268
Упаковка / чехол	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFT100N30X3HV	IXYS	300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	подробности
IXFT10N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268	подробности
IXFT120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-268	подробности
IXFT120N25X3HV	IXYS	250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	подробности
IXFT120N30X3HV	IXYS	300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	подробности
IXFT12N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268	подробности
IXFT12N100F	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 12A TO268	подробности
IXFT12N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 12A TO268	подробности
IXFT12N90Q	IXYS	MOSFET N-CH 900V 12A TO-268	подробности
IXFT13N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268	подробности