IXFM10N90 - IXYS

品番	IXFM10N90
部品ステータス	Last Time Buy
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	900V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4.5V @ 4mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	155nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	4200pF @ 25V
FET機能	-
消費電力（最大）	300W (Tc)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ	TO-204AA
パッケージ/ケース	TO-204AA, TO-3
重量	-
原産国	-

品番	メーカー	説明	見る
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