IXFM10N90 - IXYS

부품 번호	IXFM10N90
부품 상태	Last Time Buy
FET 유형	N-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	900V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4.5V @ 4mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	155nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	4200pF @ 25V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	300W (Tc)
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-204AA
패키지 / 케이스	TO-204AA, TO-3
무게	-
원산지	-

부품 번호	제조사	기술	전망
IXF1002EC	LEVELONE	IXF1002EC LEVELONE BGA New Original Stocks	세부
IXF611P1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP	세부
IXF611S1	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	세부
IXF611S1T/R	IXYS	IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC	세부
IXFA102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK	세부
IXFA10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK	세부
IXFA10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-263	세부
IXFA110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK	세부
IXFA12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK	세부
IXFA12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	세부