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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXFH58N20Q
IXFH58N20Q

IXFH58N20Q - IXYS

品番
IXFH58N20Q
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
47977 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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IXFH58N20Q 詳細な説明

品番 IXFH58N20Q
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 200V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 4mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 140nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3600pF @ 25V
FET機能 -
消費電力（最大） 300W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247AD (IXFH)
パッケージ/ケース TO-247-3
重量 -
原産国 -

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