IXFH58N20Q - IXYS

номер части	IXFH58N20Q
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	200V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	58A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	140nC @ 10V
Vgs (Макс.)	±20V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3600pF @ 25V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247AD (IXFH)
Упаковка / чехол	TO-247-3
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
IXFH100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-247	подробности
IXFH100N30X3	IXYS	300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	подробности
IXFH102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-247	подробности
IXFH10N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD	подробности
IXFH10N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 10A TO-247AD	подробности
IXFH10N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-247AD	подробности
IXFH10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-247	подробности
IXFH10N90	IXYS	MOSFET N-CH 900V 10A TO-247AD	подробности
IXFH110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-247	подробности
IXFH110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-247	подробности